半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極

開放特許情報番号
L2009006474
開放特許情報登録日
2009/11/13
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2011-523669
出願日 2010/7/21
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2011/010654
公開日 2011/1/27
登録番号 特許第5488602号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ダイヤモンド電子デバイス、光デバイス
目的 半導体ダイヤモンド用のオーミック電極として、化学的にも熱的にも安定で、低接触抵抗かつ高耐熱性に優れたオーミック電極の提供。
効果 本技術は、電極材料として、NiCr、NiCrを含む合金、NiCrを含む化合物を用いることにより、半導体ダイヤモンドデバイス用のオーミック電極を得ることができたものである。本技術のオーミック電極は、低接触抵抗でかつ高耐熱性に優れる。また、半導体ダイヤモンド上に直接接触形成してオーミック電極とすることができるので、従来の中間層を必要とせず、製造プロセスが簡単である。
技術概要
この技術は、化学的にも熱的にも安定なNiとCrからなる合金をオーミック電極に利用することを見いだしたものである。即ち、本技術の半導体ダイヤモンドデバイス用オーミック電極は、Ni及びCrを含むニッケルクロム合金又はニッケルクロム化合物からなる。また、本技術の半導体ダイヤモンドデバイスは、半導体ダイヤモンド上に、Ni及びCrを含むニッケルクロム合金又はニッケルクロム化合物からなるオーミック電極を備える。また、本技術の半導体ダイヤモンドデバイスの製造方法は、半導体ダイヤモンド上に、Ni及びCrを含むニッケルクロム合金又はニッケルクロム化合物からなるオーミック電極を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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