トンネル磁気抵抗素子

開放特許情報番号
L2009006461
開放特許情報登録日
2009/11/13
最新更新日
2015/9/29

基本情報

出願番号 特願2009-158982
出願日 2009/7/3
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-080920
公開日 2010/4/8
登録番号 特許第5062597号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 トンネル磁気抵抗素子
技術分野 情報・通信、電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、その他
適用製品 トンネル磁気抵抗素子
目的 この発明は、自由層を構成する2つの強磁性体膜を平行結合させることにより、スイッチング電流の削減と熱安定性の向上を両立させたトンネル磁気抵抗素子を提供する。
効果 この発明の装置によれば、スイッチング電流の削減と熱安定性の向上とを両立することが可能なトンネル磁気抵抗素子を提供することができる。
技術概要
トンネル磁気抵抗素子(TMR)は、トンネル絶縁膜を2つの強磁性体膜で挟んだ構造を有しており、MRAM(Magnetoresisive Random Access Memory)などに使用されている。MRAMでは、スピン注入法を用いると磁界を用いずにデータが書き込めるため、面積が縮小されることから、この方法が期待されている。構造的には、トンネル磁気抵抗素子にスピンを注入の際のスイッチング電流の削減させ、熱安定性も向上させることができるものである。本発明は、強磁性体を有する固定層と、固定層に接して設けられたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜に接して設けられた第1強磁性膜と、第1強磁性膜と平行に層間交換結合した磁化を有する第2強磁性膜と、第1強磁性膜と第2強磁性膜とに挟まれた導電膜とを有する自由層、を具備するトンネル磁気抵抗素子である。この構造のトンネル磁気抵抗素子の導電膜にはRu等を1.3〜1.7nmに形成することが望ましく、第1強磁性膜及び第2強磁性膜には、CoFeB、トンネル絶縁膜には酸化マグネシウム等が用いることが望ましい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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