正孔注入型EL装置

開放特許情報番号
L2009006443
開放特許情報登録日
2009/11/13
最新更新日
2011/11/25

基本情報

出願番号 特願2005-342793
出願日 2005/10/28
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2007-123220
公開日 2007/5/17
登録番号 特許第4848181号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 正孔注入型EL装置
技術分野 電気・電子、生活・文化、その他
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、その他
適用製品 照明装置、半導体装置
目的 この発明は、電力損失が少なく、発光効率の高い正孔注入制御型EL装置を提供する。
効果 この発明によれば、正孔注入は印加電界強度で制御可能なトンネリングにより制御される。また、伝導帯の電子注入は接合や接触での電位障壁により制限され、その注入量が印加電界で制御されることによって、電流制限がされる。電力損失の少ない電流制限が実現された結果、高い発光効率が実現された。従来の無機EL素子とはデバイスの動作原理が異なり、無機EL素子の特性の改善に対してその効果は絶大である。
技術概要
面状発光ELでは、発光面内で均一な電界及び電流値制御が要求され、特に直流駆動型ELでは電流制限を抵抗値で実現しなければならないため、大きな電力損失を伴い、結果としてELの発光効率の低下を招き、直流駆動型無機ELは実用化されていない。 この発明の正孔注入制御型EL装置は、無機蛍光体材料であるZn↓2Si↓1↓−↓xGe↓xO↓4:MnのGe含有量を0.4とし、Mn含有量を2%として作製したZn↓2Si↓0↓.↓6Ge↓0↓,↓4O↓4:Mn粉末ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング成膜法により、ノンドープ酸化亜鉛薄膜を形成したガラス基体上にZn↓2Si↓1↓−↓xGe↓xO↓4:Mn無機蛍光体発光層薄膜を作製し、半導体−蛍光体接合を形成した。 この方法によって形成された素子では、正孔注は印加電界強度で制御可能な接合や接触でのトンネリングにより制御される。また、伝導帯の電子の注入は接合や接触での電位障壁により制限され、電力損失の少ない電流制限が実現され、励起が正孔注入によって効率良く実現でき、高い発光効率が実現される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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