ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法

開放特許情報番号
L2009006402
開放特許情報登録日
2009/11/13
最新更新日
2013/6/18

基本情報

出願番号 特願2007-106493
出願日 2007/4/13
出願人 国立大学法人電気通信大学
公開番号 特開2008-260670
公開日 2008/10/30
登録番号 特許第5240978号
特許権者 国立大学法人電気通信大学
発明の名称 ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、表面処理
適用製品 ダイヤモンドライクカーボン膜、難切削材向けの切削工具・レンズなどの精密金型・HDDの磁気ヘッドやディスクの保護膜・トライボロジー特性を生かした自動車部品・ガスバリア性を生かしたペットボトル内壁のコーティング材
目的 ダイヤモンドライクカーボンは、炭素を主成分としながら高硬度、透明性、電気的絶縁性、耐食性等、黒鉛よりダイヤモンドに似た性質をもつ準安定な硬質アモルファス炭素で、各種の分野で実用化が進められている。ところが、従来の製法は、1〜10Pa程度の低圧力下のプラズマを利用する方法で、装置の大きさや多大な生産コストが用途拡大と発展への課題となっている。この技術は、触媒を用いずに作製することで、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面平滑な膜を作製するダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法を提供する。
効果 この方法によれば、サファイア単結晶を含む基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1,000℃以上に加熱することにより、基体の表面上に炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成することができるので、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面平滑な膜を作製することができる。
技術概要
このダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法は、サファイア単結晶を含む基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1,000℃以上に加熱することにより、基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法である。加熱時間は60分以上が好ましく、そしてこの加熱時間経過後、炭化水素ガスの供給を停止し、加熱温度を1,100℃まで上昇させた後、210分間アニールすることが好ましい。炭化水素ガスは、プロパンを含有するガスであって、アルゴンガス90%とプロパンガス10%との混合ガスであることが好ましい。アルゴン-メタンガスを原料としてダイヤモンドライクカーボン膜を作製するには、触媒を用いても1,200℃以上の温度が必要であるが、アルゴン-プロパンガスを原料ガスとすると1,000℃でもダイヤモンドライクカーボン膜を作製することができる。これにより、ダイヤモンドライクカーボンの低温作製が可能となり、温度による破損を招く心配がなくなる。また、融点が低い金属などの基板上にもダイヤモンドライクカーボン膜の作製が期待できる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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