シリコンを母材とする複合材料及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009006192
開放特許情報登録日
2009/10/30
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2008-054506
出願日 2008/3/5
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-209420
公開日 2009/9/17
登録番号 特許第5306670号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 シリコンを母材とする複合材料及びその製造方法
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 シリコンを母材とする複合材料、シリコンを母材とする複合材料の製造装置、高密度磁気記録媒体、自己触媒型無電解めっき法
目的 めっき法により孔に金属を充填する幾つかの技術が開示されているが、設備の小型化や設備コストの低減に限度があったり複雑な製造工程を要するという問題がある。他方、様々な高機能材料を製造するには、孔の充填精度の高いめっき技術の開発が重要となるが、簡便であるとともに孔の充填精度の高いめっき技術は未だ確立されていない。このような技術課題を解決するため、シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法・製造装置を提案する。
効果 この方法・装置によるシリコンを母材とする複合材料は、シリコン表面層に形成された非貫通孔が金属又はその金属の合金によって充填される際に空隙が形成されにくい。したがって、機能性複合材料の要素技術として広範に利用され得る。例えば、高密度の垂直磁気記録媒体に適用することが可能であり、また、各種センサや電極材料としても用いられ得る。
技術概要
このシリコンを母材とする複合材料は、シリコンの表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第1金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第2金属又はその第2金属の合金により充填されている。このシリコンを母材とする複合材料の製造方法は、シリコンの表面に、粒子状、アイランド状、又は膜状の第1金属を分散配置する分散配置工程と、シリコンの表面をフッ化物イオンを含有する第2溶液に浸漬させることによりそのシリコンの表面から非貫通孔を形成する非貫通孔形成工程と、第2金属のイオン及び還元剤を含有する第3溶液に浸漬することにより、非貫通孔の底部に位置するその第1金属を起点として、その非貫通孔を自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的にその第2金属又はその第2金属の合金で充填する充填工程とを含んでいる。更に、このシリコンを母材とする複合材料の製造装置に関する。図は第2金属又は第2金属の合金の充填装置の説明図で、シリコン100の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第1金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第2金属又は第2金属の合金106により充填される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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