半導体光デバイス及び光通信用半導体デバイス、並びにその製造方法

開放特許情報番号
L2009005725
開放特許情報登録日
2009/10/9
最新更新日
2015/12/3

基本情報

出願番号 特願2008-011600
出願日 2008/1/22
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2009-176821
公開日 2009/8/6
登録番号 特許第5397929号
特許権者 国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称 半導体光デバイス及び光通信用半導体デバイス、並びにその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、表面処理
適用製品 半導体光デバイス
目的 この発明は、結晶欠陥の発生を抑制した高品質な半導体光デバイス及び光通信用半導体デバイス、並びにその製造方法を提供する。
効果 この発明によれば、半導体微細構造の周囲の一部または全部を原子、分子線の照射でコーティングすることによって、巨大ドット構造などの結晶欠陥が制御され、また、半導体微細構造の結晶性も向上させられる。これに伴い、レーザとしては発光強度が増大し、また、発光ピークを0バンド帯まで長波長化できる。
技術概要
従来、メトロ・アクセス系通信網においては、0バンド帯の長波長光用のDWELL(Dot in a Well)構造型のレーザ素子が用いられていた。しかし、DWELL構造では、バルクGaAs結晶中にIn組成の大きな量子ドット構造と量子井戸構造が入ることから、DWELL構造の近傍には結晶欠陥が発生しやすくなると言う問題があった。この発明は、量子ドット構造の近傍にアンチモン照射を行い、欠陥制御を行うものである。基板はGaAsとし、InAs量子ドット構造とInGaAs量子井戸構造を用いている。この量子ドット構造を作製する前後に、約30秒間アンチモン分子を照射することで、量子ドット構造近傍をアンチモン原子でコーティングさせた構造を作製する。アンチモン分子照射は、バルブ制御により急峻にフラックス量を調整することができる。その結果、InGaAs量子井戸構造の上にInAs量子ドット構造が10↑1↑0/cm程度の高密度で製造することができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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