光学活性ピペリジン誘導体の製造方法

開放特許情報番号
L2009005441
開放特許情報登録日
2009/9/18
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2008-034250
出願日 2008/2/15
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-191026
公開日 2009/8/27
登録番号 特許第5089423号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 光学活性ピペリジン誘導体の製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 光学活性ピペリジン誘導体
目的 脂肪族イミンを反応基質とし、光学活性ニオブ触媒を用いた不斉アザディールス−アルダー反応による高エナンチオ選択的な光学活性ピペリジン誘導体の製造法を提供する。
効果 脂肪族イミンを反応基質とし、光学活性ニオブ触媒を用いた不斉アザディールス−アルダー反応により光学活性ピペリジン誘導体を高エナンチオ選択的に得ることができる。
技術概要
5価のニオブ化合物と(R)−体又は(S)−体からなり光学活性なビナフトール誘導体を含むトリオールとを混合してなる光学活性ニオブ触媒と、イミダゾール誘導体と、モレキュラーシーブスとの存在下、反応基質として式Iで表わされるダニシエフスキージエンと、反応基質として式IIで表わされるイミンとを反応させ、式IIIで表わされる光学活性ピペリジン誘導体を得る光学活性ピペリジン誘導体の製造方法である。式中、R↑1、R↑3はそれぞれ炭化水素基であり、R↑3は互いに同一でも異なっていてもよく;R↑2、R↑4はそれぞれ水素原子または炭化水素基、R↑5は置換基を有していてもよい飽和炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい複素環基;R↑6〜R↑9は水素原子、炭化水素基、又はアルコキシ基を表す。ニオブ化合物は式:NbX↓5(式中、Xはアルコキシドまたはハロゲン原子を表す)で表す。トリオールは式IV又は式Vで表す。式中、Yは2価の炭化水素基、R↑1↑0は水素原子または炭素数1〜6の炭化水素基を表し、nは0〜2の整数を表す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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