太陽電池及びその作製方法

開放特許情報番号
L2009005096
開放特許情報登録日
2009/9/11
最新更新日
2015/9/29

基本情報

出願番号 特願2009-122934
出願日 2009/5/21
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-010664
公開日 2010/1/14
登録番号 特許第4911539号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 太陽電池及びその作製方法
技術分野 電気・電子、機械・加工、生活・文化
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 太陽電池
目的 この発明は、表面電極による光の遮蔽が無く、光の吸収効率を高めることが可能な太陽電池を提供する。
効果 この発明の方法によれば、平滑面に多層膜の繰り返し構造を出現させ、そこに光を入射することで、表面電極による光の遮蔽が少なく、また繰り返し反射を利用することで光の吸収効率を高めることが可能な太陽電池が得られる。さらに多層膜断面が表面に出ているため、多層膜内での光電変換が効率よく行われる。特に、半導体層の電気抵抗が大きいために半導体層の厚さを薄くする必要がある場合でも、十分な吸収効率を実現できる。
技術概要
従来の太陽電池では、表面電極に金属を用いる場合は、光の遮蔽を少なくするため枝状に形成し、そのすき間から光を照射していた。しかし、光吸収率を上げるため電極面積を小さくすると、電気抵抗による損失が大きくなるという問題が生じていた。 この発明の太陽電池は、周期的傾斜構造を有する基板上に、その周期より小さな厚さの電極層と半導体光電変換層からなる多層膜が積層された表面を平滑にすることで、平滑面に多層膜断面の繰り返し構造を出現させた太陽電池基板を用意する。その基板上に、その周期よりも小さな厚さの電極層と半導体光電変換層からなる多層膜を繰り返し順次積層する工程及び表面を切削または研磨することで表面を平滑にして、その平滑面に多層膜断面の繰り返し構造を出現させて太陽電池を完成させる。この様な構造に形成された太陽電池は、半導体光電変換層の断層から入射した光が、電極層で複数回反射することになる。このため、半導体光電変換層での変換効率の向上及び複数回の反射による入射光活用の効率化により太陽電池の光吸収率を高めることが出来る。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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