超伝導量子干渉素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009004986
開放特許情報登録日
2009/8/28
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2007-324093
出願日 2007/12/15
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-147179
公開日 2009/7/2
登録番号 特許第5187559号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 超伝導量子干渉素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 超伝導量子干渉素子
目的 絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。
効果 超伝導体層のループ部の一部に強磁性層を配設して構成されているため、強磁性層で被覆された超伝導体層の超伝導体から絶縁体へ転移が生じ、これにより、SIS型ジョセフソン接合が形成される。よって、従来のようにバリア層を超伝導体層で挟んだ構造と異なり、簡単な構造により超伝導量子干渉素子を実現できる。
技術概要
超伝導量子干渉素子は、リング部を有する超伝導体層と、リング部上に配設された一又は複数の強磁性層とを備える。一対のアンテナ部を一対の狭窄部で接続してなるリング部を有する超伝導体層と、一対の狭窄部の一方に跨るように配設された強磁性層とを備える。超伝導体層及び強磁性層は、基板をオーバーエッチングして形成されたメサ部上に配設されている。一対のアンテナ部の夫々は、縦幅0.1〜1000μm×横幅0.1〜1000μmの矩形状を成し、狭窄部の幅はμmのオーダーである。強磁性層の幅は2nm〜1μmである。超伝導量子干渉素子10は、リング部12Aを有する超伝導体層12と、この超伝導体層12のリング部12Aの一部を跨いで配設された強磁性層13、13と、を有する。2つの強磁性層13、13がリング部12Aに跨いで被覆している。超伝導体層12のリング部12Aのうち強磁性層13、13で被覆した領域12B、12Bが、強磁性層13により超伝導体(S)から絶縁体(I)へ転移し、障壁となる。この構造により所謂SIS型のジョセフソン接合が2箇所で形成されるため、所謂DC−SQUIDを構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 従来のように、超伝導体層とバリア層との界面特性が劣化するという問題が生じない。また、プロセス工程数が少なく、作製制御が容易な作製方法を提供することができる。これにより、再現性がよく、感度の高い超伝導量子干渉素子を作製することができる。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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