半導体多結晶薄膜及び半導体装置

開放特許情報番号
L2009004925
開放特許情報登録日
2009/8/21
最新更新日
2013/10/29

基本情報

出願番号 特願2007-322712
出願日 2007/12/14
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2009-147098
公開日 2009/7/2
登録番号 特許第5344449号
特許権者 国立大学法人島根大学
発明の名称 半導体多結晶薄膜及び半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 半導体多結晶薄膜及び半導体装置
目的 電気伝導性が良く、バンドギャップもInAsより大きいIII−V族化合物半導体多結晶薄膜を提供する。
効果 この半導体多結晶薄膜によれば、In↓1↓−↓xGa↓xAs多結晶薄膜において、Ga組成xが0<x<0.5を満たすことから、バンドギャップ及び電子移動度が大きく、電気伝導性も良いIII−V族化合物半導体多結晶薄膜を得ることができる。このため、本発明の半導体多結晶薄膜を化合物多結晶半導体装置のn型層の材料として用いることができ、その結果、ガラスやプラスチックなどの安価で加工が容易な基板を用いて、半導体装置を作製することができる。
技術概要
半導体装置のn型層に用いられる半導体多結晶薄膜であって、半導体多結晶薄膜が、In↓1↓−↓xGa↓xAs多結晶薄膜であり、そのGa組成xは0<x<0.5を満たす。図1は、In↓1↓−↓xGa↓xAs多結晶薄膜をn型チャネル層として用いた薄膜トランジスタの模式図である。薄膜トランジスタ10は、ガラス基板1と、ボトムゲート電極2と、ボトムゲート絶縁膜3と、ソース電極4と、ドレイン電極5と、In↓1↓−↓xGa↓xAs多結晶n型チャネル層6と、トップゲート絶縁膜7と、トップゲート電極8とから構成される。図2は、In↓1↓−↓xGa↓xAs多結晶薄膜をn型電子走行層として用いたヘテロ接合型薄膜トランジスタの模式図である。ヘテロ接合型薄膜トランジスタ20は、ガラス基板1と、ソース電極4と、ドレイン電極5と、In↓1↓−↓xGa↓xAs多結晶n型電子走行層16と、AlGaAs多結晶電子供給層17と、ゲート電極18とから構成される。図3はIn↓1↓−↓xGa↓xAs多結晶薄膜をn型光吸収層として用いた太陽電池の模式図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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