受光素子

開放特許情報番号
L2009004913
開放特許情報登録日
2009/8/14
最新更新日
2009/8/14

基本情報

出願番号 特願2006-548983
出願日 2005/12/20
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学
公開番号 WO2006/068106
公開日 2006/6/29
登録番号 特許第4143730号
特許権者 国立大学法人豊橋技術科学大学
発明の名称 受光素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 非線形読み出し、広ダイナミックレンジ、感度、蓄積時間
目的 MOS特性の非線形部分を使用する方法では、埋め込みフォトダイオード構造がとれないため暗電流を小さくできないことと、低照度領域で残像が残ること、また、感度の異なるセンサを複数使用し、合計して1画素とする方法では、1画素の面積が大きくなること、また、蓄積時間を可変する方法では読み出し回路が複数なため回路部が大きくなることに鑑み、画素内で配線を工夫し、受光部のしきい値を適切に設定することで、画素毎に受光部の自己抑制作用を持つ広ダイナミックレンジのイメージセンサの提供。
効果 第1の電極膜を通過した光により第1の電極膜下の電荷獲得領域において生成・獲得された電荷はそれに隣接する第1の拡散層の井戸へ落ち込んでここに蓄積される。その結果、第1の拡散層の電位が変化する。この電位の変化が結線を介して第1の電極膜へ帰還されると、その下に位置する電荷獲得領域の電位が変化し、電荷獲得領域の電荷を獲得効率が低下する。これにより、第1の拡散層の井戸に長時間にわたり電荷の蓄積が可能となる。よって受光素子としてダイナミックレンジの拡大が実現される。
技術概要
この技術は、半導体基板と、半導体基板に絶縁膜を介して形成される、入射光を透過するとともに、ゲート電圧が印加される第1の電極膜と、第1の電極膜に隣接した第1の拡散層とを備え、第1の電極膜と第1の拡散層とが結線されている受光素子とする。さらに、半導体基板は第1の導電型にドープされ、第1の拡散層は半導体基板とは異なる第2の導電型にドープされ、第1の電極膜下の半導体基板の部分は他の半導体基板よりも高い濃度で第1の導電型にドープされている。第1の電極膜下の領域、即ち電荷獲得領域を高い濃度でドープすることにより、第1の拡散層の電位変化に応じてより確実に電荷獲得能に変化を与えられることとなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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