金属酸化物薄膜の形成方法

開放特許情報番号
L2009004905
開放特許情報登録日
2009/8/14
最新更新日
2011/2/4

基本情報

出願番号 特願2005-271704
出願日 2005/9/20
出願人 国立大学法人豊橋技術科学大学
公開番号 特開2007-088013
公開日 2007/4/5
登録番号 特許第4654439号
特許権者 国立大学法人豊橋技術科学大学
発明の名称 金属酸化物薄膜の形成方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 シリコン基板の薄膜が形成される面の清浄、清浄面の状態、清浄面、表面を安定化させる方法
目的 シリコン半導体基板を清浄した後、単結晶膜を成膜するために基板の温度を上昇させる際、真空容器の内壁などからの脱離ガスによってシリコン半導体基板の清浄面が汚染されやすいため、昇温中の真空容器内の残留ガス圧に十分な注意を払う必要があることに鑑み、半導体基板の表面を酸化膜で保護しつつ、金属酸化物薄膜形成時に酸化膜の酸素を還元して成膜を行うことで、高品質な金属酸化物薄膜を得ることの実現。
効果 半導体表面に形成された酸化膜は、金属原子によって還元され、半導体基板表面から脱離し、半導体基板表面に金属酸化物薄膜が形成される。したがって、半導体基板の表面を保護した状態で金属酸化物薄膜を形成するため、結晶性の良い金属酸化物薄膜を複雑な工程を行うことなく形成することができる。
技術概要
この技術は、半導体基板の表面に酸化膜を形成する第一のステップと、酸化膜が形成された半導体基板に金属原子および酸素ガスを供給して、半導体基板上に金属酸化物薄膜を形成する第二のステップと、からなる金属酸化物薄膜の形成方法とする。ここで、半導体基板とは半導体を基板の材料として含む基板であり、基板全体が半導体より成るものや、SOI基板やSOS基板のように、絶縁膜上に半導体膜を形成した基板も半導体基板に含まれる。また、半導体材料としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、窒化ガリウム、砒化ガリウム、燐化インジウム、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウムカーバイド及びシリコンゲルマニウムなどや、これらをもとにする化合物半導体などが挙げられる。また、半導体基板として、シリコン基板を用いる場合は、p型、n型、i型のいずれの不純物タイプも用いることができる。また、シリコン基板は、面方位(111)、(100)、(110)あるいは傾斜をつけた(100)基板等を用いることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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