| 出願番号 |
特願2008-328292 |
| 出願日 |
2008/12/24 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-132932 |
| 公開日 |
2009/6/18 |
| 登録番号 |
特許第4952956号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
結晶化金属酸化物薄膜を備えた蛍光体 |
| 技術分野 |
電気・電子、有機材料、無機材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＤＲＡＭ用キャパシタ、耐プラズマ用薄膜、蛍光体薄膜、エピタキシャル薄膜、赤外センサデバイス中間層、誘電体デバイス中間層 |
| 目的 |
Ｙ↓２Ｏ↓３に代表される希土類元素を含む蛍光体薄膜の製造方法においては、金属有機化合物の熱分解および蛍光体薄膜形成を行う場合、高温でかつ多くの時間を要るため、ガラス上への薄膜化が困難であったことに鑑み、２００ｎｍ以下のレーザを用いることで希土類酸化物薄膜が結晶成長することを見出し、ガラスやシリコン基板上に結晶化したＹ↓２Ｏ↓３を含む薄膜形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法の提供。 |
| 効果 |
従来不可能であったガラス基板やシリコン及び有機を含む基板上に低温で製造効率が良く、大量生産に適し、しかも蛍光体薄膜が優れた発光を得ることができだけでなく耐プラズマ薄膜、ｈｉｇｈ−Ｋ薄膜、赤外センサデバイス中間層、誘電体デバイス中間層への適用も可能とする。 |
技術概要
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この技術は、希土類金属酸化物薄膜の製造において、塗布熱分解法における熱処理過程の一部を紫外光（レーザ）照射で置き換える。すなわち、金属有機化合物の溶液を支持体上に塗布及び乾燥工程（１）、有機成分の熱分解仮焼成工程（２）、蛍光体薄膜への変換を行う本焼成工程（３）をへて製造する際に、工程（２）および工程（３）と並行してあるいは工程（２）の前に、紫外光（レーザ）、特に２００ｎｍ以下の波長を照射するＹ↓２Ｏ↓３薄膜に代表される結晶化希土類金属酸化物薄膜の製造方法である。これにより、蛍光体薄膜材料の低温・高速製膜（熱処理時間の大幅な短縮）が可能になるとともに、マスクの使用や紫外光の照射位置を精密に制御することにより、素子に必要なパターニングを製膜と同時に行うことができる。酸化物が蛍光体薄膜を形成する金属酸化物薄膜が結晶化する場合に、有機薄膜及び無機膜に紫外光（レーザ）を照射する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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