強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子及びそれを用いたデバイス

開放特許情報番号
L2009004754
開放特許情報登録日
2009/8/7
最新更新日
2012/2/17

基本情報

出願番号 特願2006-107470
出願日 2006/4/10
出願人 国立大学法人 名古屋工業大学
公開番号 特開2007-277061
公開日 2007/10/25
登録番号 特許第4892723号
特許権者 国立大学法人 名古屋工業大学
発明の名称 磁性金属内包カーボンナノチューブ素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気センサー、磁気ランダムアクセスメモリデバイス等に有用な強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子に適用する。
目的 磁性金属等を内包もしくは充填してなる強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子を提供する。
効果 磁気センサー等に応用する際、磁性金属等が大気などに暴露されることがないため安定したデバイスが作製可能になる。
技術概要
単層・多層カーボンナノチューブに二種類以上の磁性金属を含む金属を内包もしくは充填してなる強磁性金属充填カーボンナノチューブ素子にする。磁性金属を含む金属は、カーボンナノチューブ内に合金として、もしくは、それぞれの金属ごとに分離して内包もしくは充填することもでき、それら一種類以上の磁性金属を含む金属を内包もしくは充填するためには、基板に内包もしくは充填する金属薄膜を積層した構造にする。例えば、シリコン基板または金属基板1と、SiO↓2、SiN↓x、Mo、W等の薄膜2と、その上に磁性金属を含む金属を内包もしくは充填してなる、Pd等の非磁性金属薄膜3とCo等の強磁性金属薄膜4とが組合わせて積層される。尚、内包もしくは充填する金属の種類により部品数を増やし、多層構造にすることもできる(図)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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