正孔注入層およびそれを用いた有機電界発光(EL)素子

開放特許情報番号
L2009004738
開放特許情報登録日
2009/8/7
最新更新日
2009/8/7

基本情報

出願番号 特願2005-269246
出願日 2005/9/15
出願人 国立大学法人 名古屋工業大学
公開番号 特開2007-080744
公開日 2007/3/29
発明の名称 正孔注入層およびそれを用いた有機電界発光(EL)素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 正孔注入層およびそれを用いた有機電界発光(EL)素子
目的 分子レベルで膜厚を制御できる正孔注入層およびそれを用いた有機電界発光素子を提供する。
効果 分子レベルで膜厚を制御できる正孔注入層およびそれを用いた有機電界発光素子を提供できる。
技術概要
正孔注入層は、単層のポリチオフェン誘導体を混合ラングミュアーブロジェット法を用いて分子レベルの超薄膜とする。また、この正孔注入層は、ポリチオフェン誘導体が、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(PHT)等のポリアルキルチオフェンである。この有機電界発光素子は、正孔注入層を用いた。図に同一電極内でのPHT1層の有無による輝度の変化を示す。図を見てもわかるようにPHT1層を導入することにより同一電圧(14V)での発光輝度が明らかに違うことがわかり、PHT1層の導入により正孔注入障壁を軽減できることを明らかにした。また、発光効率(注入電流に対する輝度)はPHT混合LB膜1層の素子において最大となり、5層の素子では逆にPHTのない素子と比べて悪くなることがわかった。この理由はPHT混合LB膜層の増加により正孔注入効率が増加した反面、電子注入効率とのバランスが悪くなったためやPHTが560nmに吸収ピークを持つことによるフィルター効果などである。有機EL素子の正孔注入層としてPHT混合LB膜が有効であることがわかり、またPHT1層の素子において発光効率が改善されることが明らかである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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