メモリ素子

開放特許情報番号
L2009004644
開放特許情報登録日
2009/7/24
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2007-302201
出願日 2007/11/21
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-130062
公開日 2009/6/11
登録番号 特許第4674912号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 メモリ素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 カーボンナノピーポッド、メモリ素子
目的 カーボンナノピーポッドを用いた、小型でかつ大容量のメモリ素子の提供。
効果 カーボンナノピーポッドにフラーレン分子をメモリセルとして用いているので、素子全体が小型であり、集積化しやすい。また、フラーレン分子に単一電子を注入してメモリセルとして用いることで、大容量メモリ化ができると共に消費電力が小さいという優れた効果を奏し得る。
技術概要
 
この技術では、メモリ素子は、フラーレン分子を内包した単層カーボンナノチューブからなるカーボンナノピーポッドを有するメモリ素子であって、カーボンナノピーポッドを、バックゲート電極上に積層した絶縁層上に載置すると共に、所定の距離離間して設けたソース電極及びドレイン電極に接続し、フラーレン分子が、メモリ情報を保持するメモリセルとなるように構成するものとする。ここで、ソース電極及びドレイン電極は500nm以上1000nm未満で離間して設けることが好ましい。また、金属電極と、カーボンナノピーポッドとの間の界面抵抗が25.6kΩより大きいことが好ましい。さらに、カーボンナノピーポッドが2本以上50本以下のカーボンナノピーポッドからなるバンドル状のカーボンナノピーポッドであることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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