シリコン酸化膜の堆積方法

開放特許情報番号
L2009004558
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2011/4/15

基本情報

出願番号 特願2007-293064
出願日 2007/11/12
出願人 東芝三菱電機産業システム株式会社
公開番号 特開2009-123737
公開日 2009/6/4
発明の名称 シリコン酸化膜の堆積方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン酸化膜
目的 実質的に酸素欠損がなく電気的特性が安定なシリコン酸化膜を提供する。
効果 スパッタ雰囲気にオゾンガスあるいはオゾンを含むガスを直接導入してプラズマを発生させているため、酸素ガス単独の場合よりも活性な酸素原子のラジカルを発生でき、堆積膜中の酸素欠損を大幅に低減できるとともに、電気的にも安定した緻密なシリコン酸化膜を得ることができる。
技術概要
ガスプラズマ状態を形成するチャンバー内にターゲット材料とシリコン酸化膜を堆積する基板を設置し、チャンバーに導入するガスとしてオゾンガスを含む導入ガスを用いるスパッタによるシリコン酸化膜の堆積方法である。チャンバーに導入するガスは、稀ガスにオゾンガスを混合させている。さらに窒素原子を含むガスを混合する。ガスプラズマ状態は、高周波印加により生ずる。ガス導入口5からオゾンガスを15%含む酸素ガスとの混合ガスを6sccm流入し、チャンバーの圧力を0.65Paに調整する。シリコンディスク6とシリコン基板7の距離は5cmである。7はシリコン膜が堆積された他の材料基板でもよい。13.56MHzの高周波電力を2.26W/cm↑2の電力密度で印加することによりチャンバー内には安定したプラズマが発生する。シリコン基板7の上に、二酸化シリコン膜8が毎時51.7nmの厚さに堆積される。この二酸化シリコン膜8は、膜厚均一性及び構造緻密性に優れたシリコン酸化膜である。続いて、二酸化シリコン膜を堆積したシリコン基板を450℃で30分間加熱処理する。雰囲気はアルゴンなどの不活性ガスあるいは真空雰囲気が適している。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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