ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体

開放特許情報番号
L2009004541
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2013/6/18

基本情報

出願番号 特願2007-247138
出願日 2007/9/25
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2009-081159
公開日 2009/4/16
登録番号 特許第5243762号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、半導体、電子デバイス等の分野で広く利用される。
目的 薄膜の均一性、平坦性の劣化を防止することで、薄膜の熱的安定性を向上させ、低いシート抵抗を維持できるジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、及びジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体を提供する。
効果 薄膜の熱的安定性を向上でき、更に、550℃まで安定な構造を維持でき、低いシート抵抗を維持できるGe電子デバイスに好適なコンタクト材料が実現できる。
技術概要
ゲルマニウム基板11を用いる半導体装置用の電極用材料としてのジャーマナイド薄膜の作成方法において、ゲルマニウム基板の上方に白金、コバルト、パラジウム、ロジウム、イリジウムのうちのいずれか一つあるいは複数からなる金属層12を形成し、金属層の上方にニッケル層13を形成し、金属層を構成する金属、ニッケル、ゲルマニウムからなる合金を形成するように、金属層及びニッケル層を熱処理することにより、ジャーマナイド薄膜を作成する。尚、ジャーマナイド薄膜中に白金、コバルト、パラジウム、ロジウム、イリジウムのうちのいずれか一つあるいは複数の金属が含まれ、ニッケルに対するこれらの金属の比率が20%以上であって、かつ、70%以下になる。また、ジャーマナイド薄膜を構成する結晶粒の結晶面方位が、ゲルマニウム基板の[110]結晶面に対して、[102]面あるいは[001]面を平行とする配向関係になっている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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