| 出願番号 |
特願2007-247138 |
| 出願日 |
2007/9/25 |
| 出願人 |
国立大学法人名古屋大学 |
| 公開番号 |
特開2009-081159 |
| 公開日 |
2009/4/16 |
| 登録番号 |
特許第5243762号 |
| 特許権者 |
国立大学法人名古屋大学 |
| 発明の名称 |
ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
簡便な操作で得られ、半導体、電子デバイス等の分野で広く利用される。 |
| 目的 |
薄膜の均一性、平坦性の劣化を防止することで、薄膜の熱的安定性を向上させ、低いシート抵抗を維持できるジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、及びジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体を提供する。 |
| 効果 |
薄膜の熱的安定性を向上でき、更に、５５０℃まで安定な構造を維持でき、低いシート抵抗を維持できるＧｅ電子デバイスに好適なコンタクト材料が実現できる。 |
技術概要
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ゲルマニウム基板１１を用いる半導体装置用の電極用材料としてのジャーマナイド薄膜の作成方法において、ゲルマニウム基板の上方に白金、コバルト、パラジウム、ロジウム、イリジウムのうちのいずれか一つあるいは複数からなる金属層１２を形成し、金属層の上方にニッケル層１３を形成し、金属層を構成する金属、ニッケル、ゲルマニウムからなる合金を形成するように、金属層及びニッケル層を熱処理することにより、ジャーマナイド薄膜を作成する。尚、ジャーマナイド薄膜中に白金、コバルト、パラジウム、ロジウム、イリジウムのうちのいずれか一つあるいは複数の金属が含まれ、ニッケルに対するこれらの金属の比率が２０％以上であって、かつ、７０％以下になる。また、ジャーマナイド薄膜を構成する結晶粒の結晶面方位が、ゲルマニウム基板の［１１０］結晶面に対して、［１０２］面あるいは［００１］面を平行とする配向関係になっている。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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