量子ドット及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009004535
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2013/3/15

基本情報

出願番号 特願2007-209362
出願日 2007/8/10
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2009-044052
公開日 2009/2/26
登録番号 特許第5187884号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 量子ドットの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 発光素子、レーザー等に有用な量子ドットの製造に適用する。
目的 有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法を特定条件下で行なう量子ドットの製造方法を提供する。
効果 量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させることができ、それにより量子ドットの発光の波長チューニングを適切に行うことが可能になる。
技術概要
例えば、(A)MOCVD装置等の反応室において、所定の真空条件下、TEGa、TMIn及びTBPガスを供給して、基材(GaAs)1上に下地層(GaInP)2を形成した後、(B)反応室をPBP雰囲気にした状態で、基材1の温度を下地層形成温度からドット形成温度まで降温し、基材1の温度をドット形成温度に維持したまま、反応室をTBAs及びTBPからなる雰囲気にして、所定時間保持し、下地層2上にAs成分及びP成分5を存在させる前処理を行い、次いで、(C)反応室を、TMInからなる雰囲気にして、In成分よりなりAs成分及びP成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、InAsPよりなる量子ドット6を形成し、続いて、(D)基材1の温度を維持した状態で、反応室内をTBAs及びTBPからなる雰囲気にして、量子ドット6を表面マイグレーションにより移動させ、量子ドット6同士を凝集させて、サイズの大きな量子ドットのドット層3を形成する、ことからなる量子ドットの製造方法にする(図)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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