伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体

開放特許情報番号
L2009004527
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2013/6/18

基本情報

出願番号 特願2007-132189
出願日 2007/5/17
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2008-288395
公開日 2008/11/27
登録番号 特許第5238189号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子に有用な多層膜構造体の形成に適用する。
目的 ゲルマニウム層とゲルマニウム錫混晶層とが積層された多層膜構造体の形成方法を提供する。
効果 ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体が得られる。
技術概要
(A)シリコン基板11の上方に、ゲルマニウム層12を形成する工程と、(B)この上方に、ゲルマニウム錫混晶層13を形成する工程と、(C)更に、その上方に、伸張歪ゲルマニウム層14を形成する工程と、からなる多層膜構造体10の形成方法にする(図)。各層の形成は、例えば、超高真空装置内、1×10↑−↑6Pa以下の圧力下にてクヌーセンセル等の蒸着装置を用いてのヘテロエピタキシャル結晶成長法により、そして、ゲルマニウム錫混晶層13の錫組成が4.5%以上に調整して行なわれる。これによって、従来のどの報告よりも大きな歪量をもつ、(110)方向の面内格子定数0.4015nm以上で、歪量0.35%を有する伸張歪ゲルマニウム薄膜が得られ、また、従来プロセスへの適用性にも優れ、実用化に際して、非常に有利になる等の効果を奏する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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