| 出願番号 |
特願2009-100870 |
| 出願日 |
2009/4/17 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2010-251599 |
| 公開日 |
2010/11/4 |
| 登録番号 |
特許第5454867号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
単結晶ダイヤモンド基板 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
単結晶ダイヤモンド基板 |
| 目的 |
表面が平坦な単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板及びその表面上に平坦な堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板を得る。 |
| 効果 |
表面欠陥が抑制された平坦面を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板あるいは化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板が得られる。 |
技術概要
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表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。また、＜−１−１２＞方向にオフ角を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。また、基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する、単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。気相は、水素で希釈された炭素源ガスを用いることができる。炭素源ガスは、メタン、エタン等の炭化水素、及び又は、一酸化炭素や二酸化炭素の混合物を用いる。その際、酸素、窒素、ヘリウム、アルゴン等の希ガスを混合することも可能である。さらにホモエピタキシャル成長は、同時に不純物を導入することでｐ型あるいはｎ型半導体の堆積ダイヤモンド膜も製造できる。不純物は、ホウ素、リン、窒素、水素、硫黄、アルミニウム、ヒ素、ベリリウム等を用いる。図１は平坦化処理前の単結晶ダイヤモンド基板表面の原子間力顕微鏡像、図２は作製したステップテラス構造を有する原子的に平坦な単結晶ダイヤモンド基板表面の原子間力顕微鏡像、図３は山形に加工した単結晶ダイヤモンド基板の模式図、である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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