金属酸化物上の均一にサイズ制御された金ナノクラスター及びその製造方法並びにそれを用いた触媒

開放特許情報番号
L2009004498
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2010/11/26

基本情報

出願番号 特願2009-100722
出願日 2009/4/17
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-247108
公開日 2010/11/4
発明の名称 金属酸化物上の均一にサイズ制御された金ナノクラスター及びその製造方法並びにそれを用いた触媒
技術分野 金属材料、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 金属酸化物上の均一にサイズ制御された金ナノクラスター及びそれを用いた触媒
目的 平均クラスターサイズが2nm以下であり、かつ均一にサイズ制御された金ナノクラスターを、金属酸化物表面上に製造できる技術を提供する。また、平均クラスターサイズが2nm以下に制御された金ナノクラスターを用いて、従来反応しなかった気体分子の解離反応を効率よく進行させる触媒活性種及びその技術を提供する。
効果 アークプラズマ蒸着法を用いることにより、種々の金属酸化物上に担持された、平均クラスターサイズが2nm以下の金ナノクラスターを製造することができ、また、これらを触媒として用いることにより、効率よく水素解離反応を進行させることができる。
技術概要
 
金属酸化物上に担持された金クラスターであって、その平均クラスターサイズが2nm以下であるる金ナノクラスターである。また、金属酸化物が、チタニア、アルミナ、シリカ、ジルコニア、又はセリアからなる金属酸化物或いはこれらの複合酸化物である金ナノクラスターである。また、アークプラズマ蒸着法を用いて金属酸化物上に担持させる、金ナノクラスターの製造方法である。金ナノクラスターからなる、触媒である。また、水素解離反応用触媒である、触媒である。アークプラズマ蒸着法は、円筒状のトリガ電極と、金ナノクラスター作製用材料である金原料で少なくとも先端部が構成された円筒状のカソード電極とが、円板状の絶縁碍子を挟んで隣接して配置されてなり、カソード電極とトリガ電極との周りに同軸状に円筒状のアノード電極が配置されている同軸型真空アーク蒸着源を備えている同軸型真空アーク蒸着装置を用い、トリガ電極とアノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、カソード電極とアノード電極との間にアーク放電(プラズマ)を断続的に誘起させ、金属酸化物からなる担持体上に、所定の粒径を有する金ナノクラスターを付着せしめる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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