光検出素子

開放特許情報番号
L2009004465
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2010-532978
出願日 2009/10/6
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2010/041756
公開日 2010/4/15
登録番号 特許第5386764号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光検出素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 フォトディテクタ、化合物半導体系フォトダイオード、ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ
目的 構造的に有利なメサ構造を有する光検出素子、特に化合物半導体系材料から構築されるPDもしくはHPTにおいて、その露呈側面での光に依らない生成・再結合電流(暗電流)を抑制するため、従前の各種素子に認められたような不都合を伴うことなく、半導体結晶表面が電流経路とならぬように表面電流の有効な阻止構造を構築し、もってそうした従前の各種素子よりも高感度、広波長帯域な光検出素子の提供。
効果 本技術に従って構築されるメサ構造を有する光検出素子では、それがPDとして構築される場合にもHPTとして構築される場合にも、リング状の拡散領域を設けることで、メサ構造中に含まれるpn接合は実質的に素子内部に移行させたに等しい構造を得ることができ、換言すれば当該pn接合の露呈側面に生じ得る結晶欠陥や、メサ構造に連接する部分での表面に生じ得る結晶欠陥を実質的に消失させたに等しい効果を得ることができる。
技術概要
この技術は、メサ構造光検出素子として、高感度、広帯域な光検出素子を提供する。第一導電型の第一半導体層により構成される光吸収層と、その上に形成され、第一導電型とは逆極性の第二導電型の第二半導体層となるアノード層と、光吸収層の下に設けられ、第二半導体層に比して相対的にワイドギャップな半導体から成る第一導電型のワイドギャップバッファ層とをカソード層を兼ねる基板上に形成し、第一、第二半導体層をメサエッチングにより島状に切り出したメサ構造とする。このメサ構造の露呈側面から素子の内部に向かって所定の横方向寸法分だけ、第二半導体層と同一導電型である第二導電型の半導体層に転換された、平面的に見るとリング状の拡散領域を設ける。さらに、第二半導体層の基板主面と平行な表面にあって側面から素子内部に向かう表面部分にも、所定の横方向寸法分だけ、第二導電型の拡散領域を設け、ワイドギャップバッファ層の基板主面と平行な表面部分にも、メサ構造に接する部分から横方向外方向に向かい、所定の横方向寸法分だけ、第二導電型の拡散領域を設ける。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT