MEMSの技術による温度センサ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009004452
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2009-067117
出願日 2009/3/18
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-217120
公開日 2010/9/30
登録番号 特許第5268108号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 MEMSの技術による温度センサ及びその製造方法
技術分野 金属材料、機械・加工、情報・通信
機能 検査・検出、環境・リサイクル対策
適用製品 超低消費電力の温度センサ。
目的 多数の生体の健康のモニタリングや環境のモニタリングに好適に対応しうる、温度センサを実現するための技術を提供すること。
効果 小型・安価に製造することができ、高範囲且つ高分解能の温度測定を行うことができる。
技術概要
バイモルフ素子は、MEMSテクノロジによって製造されるMEMSデバイスであり、互いに向かい合うように、且つ、変位方向が相手に接近する方向となるように配される、2枚のバイモルフ板を有する。2枚のバイモルフ板は、いずれもその板面がバイモルフ板を支持する基体の底面及び/又は頂面に対して垂直になるように配されてもよい。バイモルフ板の上側部は基体の高さを超えず、その下側部は基体の底面の高さより低くならないように配されてもよい。 バイモルフ板を2枚使用し、互いに相手に接近する方向に撓むように配することで、従来に比べて感知温度の誤差を著しく小さくできる。またMEMSの精密加工技術によって製造するため、バイモルフ板の間隔や長さを精密に制御でき、感知温度の異なる多数のバイモルフ素子を1つのセンサ素子に作り込むことができる。1つ1つの素子の感知温度の誤差が小さいため、例えば1℃という単位温度間隔を多数の感知温度に分割でき、分解能の高い温度測定を行うことができる。またバイモルフ素子自体は動作に電力を必要としないため、センサ全体の消費電力を下げる上で有利で、さらに、MEMSテクノロジを用いることでデバイスを小型・安価に製造できる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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