| 出願番号 |
特願2009-051072 |
| 出願日 |
2009/3/4 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2010-206017 |
| 公開日 |
2010/9/16 |
| 登録番号 |
特許第4599598号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
固体メモリ |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
固体メモリ |
| 目的 |
データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリを提供する。 |
| 効果 |
この固体メモリは、相分離により電気特性が変化する積層構造を含む記録層を備えており、積層構造は、超格子構造を構成する、Ｓｂ原子を含む膜とＧｅ原子を含む膜とから成るため、データの記録及び消去に必要な電流値がより低く、より多くの回数でデータを繰り返し書き換えることができる。 |
技術概要
 |
固体メモリは、データを記録又は消去する記録層を備える固体メモリであって、記録層は、相分離により電気特性が変化する積層構造を含んでおり、積層構造では、Ｓｂ原子を含む層とＧｅ原子を含む層とが超格子構造を構成して積層されている。記録層では、Ｓｂ原子を含む膜（Ｓｂ層）とＧｅ原子を含む膜（Ｇｅ層）とが弱い原子結合で結合した構造がとられる。この構造がとられている際、電気エネルギーを手段として、Ｓｂ層とＧｅ層との層間方向に原子結合を切断すると、記録層では高い電気抵抗状態が形成かつ固定されて、記録（消去）状態が作り出される。また逆に、電気エネルギーを手段として、原子結合を元に戻すと、記録層では低い電気抵抗状態が復元されて、消去（記録）状態が作り出される。Ｇｅ原子を含む層とＳｂ原子を含む層との層厚の比は、１：３以上１：２０以下である。記録層の上下に各々配置された電極を備えており、電極から記録層に電気的パルスを与えて、当該記録層を５％以下の体積変化率で上下方向に体積変化させることによって、データを記録又は消去する。図にＧｅ／Ｓｂ５から構成される超格子構造の相分離前の構造を示す。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)