金属珪素化合物薄膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009004406
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2009-037261
出願日 2009/2/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-093221
公開日 2010/4/22
登録番号 特許第5464570号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 薄膜トランジスタ等における半導体薄膜として有用な金属珪素化合物薄膜に適用する。
目的 特定の遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造にする金属珪素化合物薄膜を提供する。
効果 遷移金属内包シリコンクラスターが最高占有分子軌道と最低非占有分子軌道のギャップの開いた半導体であることに基づき、これを、凝集させることで、有限のバンドギャップを有する半導体膜にする金属珪素化合物薄膜が得られる。
技術概要
遷移金属とシリコンの化合物であって、遷移金属原子の周りを、7個〜16個のシリコン原子が取り囲む遷移金属内包シリコンクラスターを単位構造とし、遷移金属原子の第1及び第2近接原子にシリコンが配置されてなる金属珪素化合物薄膜にする(図)。遷移金属として、チタン、クロム、コバルト、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、タンタル、タングステン、オスミウム等が用いられるが、特に、遷移金属がモリブデン、タングステンであり、シリコン原子数が10又は12である金属珪素化合物薄膜が好ましい。この金属珪素化合物薄膜は、レーザーアブレーション法によって遷移金属原子をモノシランガス中に放出し、遷移金属原子とモノシランの気相反応によるか、もしくは、遷移金属原子とシリコンの化合物ターゲットからレーザーアブレーション法によって遷移金属原子とシリコン原子を放出せしめ、遷移金属内包シリコンクラスターを合成することによって得られる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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