ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ

開放特許情報番号
L2009004394
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2010-550573
出願日 2010/2/12
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2010/093058
公開日 2010/8/19
登録番号 特許第5288357号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光検出素子(フォトディテクタ)、化合物半導体系ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ、光通信や分光システム用検出器、赤外線カメラ、医療、防災、工業検査用途、中赤外光領域での高感度フォトディテクタ
目的 既掲の従来例群の持つ欠点を解消ないし緩和し、特に中赤外光領域を検出対象とするHPTにおいて、暗電流に起因するノイズ特性を大きく抑制し、高感度でしかも広波長帯域特性を有する光検出素子の提供。
効果 この素子においては、光吸収層とベース層の間に、光吸収層よりもワイドギャップで価電子帯におけるエネルギ準位が光吸収層のそれにほぼ一致するか高いコレクタ兼バリア層を有している。これは、光吸収層とコレクタ兼バリア層が所謂タイプ2型ヘテロ接合を形成していることであり、光照射により光吸収層内で発生した正孔を障壁なしにベース層に注入し、もってベース層のポテンシャルを下げ、エミッタ層からの電子のベース層への注入を制御できることを意味する。
技術概要
本技術では、ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタとして、第一導電型の半導体層により構成された光吸収層と、光吸収層の上にコレクタ兼バリア層、ベース層、エミッタ層が順に積層されることで構成されたトランジスタ部とを有するフォトトランジスタにおいて;コレクタ兼バリア層は、伝導帯におけるエネルギ準位が光吸収層のそれより高く、価電子帯におけるエネルギ準位が光吸収層のそれにほぼ一致するか高い、相対的に光吸収層よりワイドギャップな半導体層から成り;コレクタ兼バリア層の上に形成されたベース層は、コレクタ兼バリア層に比して相対的にナローギャップで、その伝導帯におけるエネルギ準位はコレクタ兼バリア層との界面においてコレクタ兼バリア層のそれに一致するか高く;ベース層の上に形成されたエミッタ層は、ベース層に比して相対的にワイドギャップで、伝導帯におけるエネルギ準位はベース層との界面においてベース層のそれに一致するか低く、価電子帯におけるエネルギ準位はベース層のそれよりは低い第一導電型の半導体層から成ること;を特徴とするヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを提案する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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