光電変換素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2009004391
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2009-028871
出願日 2009/2/10
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-186822
公開日 2010/8/26
登録番号 特許第5158807号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光電変換素子およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 太陽電池
目的 格子不整合率、製造温度の制約のない光電変換層材料の選択が可能な光電変換素子、およびその製造方法の提供を目的とする。
効果 透明性と導電性を兼ね備えた導電性酸化物薄膜を介した接合技術を用いた、二端子構造とメカニカルスタックを兼ね備えた新しい形態の光電変換素子を実現することができる。ここで透明とは、可視領域の光に対する透明性を示すものではなく、光電変換素子が感度をもつ波長領域に対する透明性を示すものである。
技術概要
光電変換素子は、第2半導体、第2導電性酸化物薄膜、第1導電性酸化物薄膜、第1半導体の順の構造を有する。第2導電性酸化物薄膜と第1導電性酸化物薄膜の接合面が接合界面4を形成するように第2半導体と第1半導体を機械的接合されている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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