固体メモリ

開放特許情報番号
L2009004388
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2010/10/8

基本情報

出願番号 特願2009-027561
出願日 2009/2/9
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-183017
公開日 2010/8/19
発明の名称 固体メモリ
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 固体メモリ
目的 より多くの回数データを繰り返し書き換えることができる固体メモリを提供する。
効果 記録層が、固体状態間で相変態を生じる母相を有する層を2以上含み、2以上の層は超格子構造を構成しており、電極層と記録層との間に、記録層の相変態時に生じる体積変化を緩和する体積変化緩衝層を更に備えるため、より多くの回数でデータを繰り返し書き換えることができる固体メモリを提供できる。
技術概要
記録層と、電極層とを備える固体メモリであり、記録層は、固体状態間で相変態を生じる母相を有する層を2以上含み、2以上の上記層は超格子構造を構成しており、電極層と記録層との間に、記録層の相変態時に生じる体積変化を緩和する体積変化緩衝層を更に備える固体メモリである。電極層と体積変化緩衝層との間に、記録層に熱を加える加熱層を更に備える。記録層は、Ge、Sb又はTeを主成分としている。体積変化緩衝層の融点は、各母相の融点よりも高い。体積変化緩衝層は、Ge、Sb、Te、S、Ti、Ba、Zn、Sr、Nb及びTaからなる群から選択される少なくとも1つの元素を主成分とする酸化物誘電体からなる。記録層4と、上部電極層6及び下部電極層3とを備え、上部電極層6と記録層4との間に、記録層4の相変態時に生じる体積変化を緩和する体積変化緩衝層5を更に備える。また、本実施の形態に係る固体メモリは、更に、基板1、セル2を備える。電極層(上部電極層6、下部電極層3)を構成する材料としては、TiN、W等、また、基板1を構成する材料は、Siである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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