発光素子

開放特許情報番号
L2009004387
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2010/10/8

基本情報

出願番号 特願2009-026574
出願日 2009/2/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-182961
公開日 2010/8/19
発明の名称 発光素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 発光素子
目的 pn接合において整流性を保った状態で発光効率や発光強度を高めることが可能な発光素子を提供する。
効果 この発光素子は、低抵抗である上にさらに、γ層へのキャリアの注入効率が高く、励起子を作る条件と、励起子を蓄積する条件の両方を満たしていることから、発光効率を高くし、発光強度を強くすることが可能な発光素子が提供できる。
技術概要
発光素子10は、ダイヤモンド半導体層からなり、p型のα層2とn型のβ層3との間に一つまたは複数のγ層4を配してなる発光素子であって、α層とβ層は各々、電流を注入するための電極(第一電極5、第二電極6)を備えており、α層及びβ層における電流の伝導機構が何れも300Kの温度においてホッピング伝導であるとともに、α層とβ層とを貫通する順方向に電流を流した際に、紫外線を放出する。α層2、β層3及びγ層4は、基板1上に設けることができる。また、α層2及びβ層3上には、各々と電気的に接続された第一電極5及び第二電極6が配する。γ層は真性半導体である。γ層を構成する不純物濃度が4×10↑1↑8cm↑−↑3以下である。電極は、α層及び/またはβ層との間に低抵抗層を備えている。α層及びβ層に含まれる不純物濃度は、有効状態密度以上である。α層に含まれる不純物濃度は、1.63×10↑1↑9cm↑−↑3以上であり、β層に含まれる不純物濃度は、1.08×10↑1↑9cm↑−↑3以上であり、且つα層とβ層に含まれる不純物濃度がそれぞれ、5×10↑2↑1cm↑−↑3以下である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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