有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009004386
開放特許情報登録日
2009/7/17
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2009-025778
出願日 2009/2/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-182920
公開日 2010/8/19
登録番号 特許第5429784号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機薄膜トランジスタ
目的 潜在的に高い移動度を有し、かつ環状アルキル基部位を有する低分子系有機半導体を用いた良質薄膜からなる有機薄膜トランジスタを提供する。
効果 アルキル鎖との親和性が高いポリマー薄膜上に、HMTTFのように分子内に環状アルキル基部位を有する低分子系有機半導体を形成しているため、ポリマー薄膜表面上での分子拡散運動が効率化する。従って、微結晶のサイズ、充填率、結晶構造、微結晶間の結合性などの膜質が向上し、移動度が6cm↑2/Vsを超える高性能の有機薄膜トランジスタを得ることができる。
技術概要
ゲート絶縁膜上にアルキル鎖との親和性が高いポリマー薄膜を介して環状アルキル基部位を有する低分子系有機半導体からなるチャンネル領域を有する有機薄膜トランジスタである。低分子系有機半導体は、HMTTFである。ポリマー薄膜は、ポリスチレン、ポリカーボネート、PMMA、PVA、ポリエチレン、ポリプロピレンのいずれかである。ゲート絶縁膜を構成するシリコン酸化膜上にトルエンに溶解したアルキル鎖との親和性が高いポリマー溶液を塗布してポリマー薄膜を形成する工程及びポリマー薄膜上に環状アルキル基部位を有しチャンネル領域を構成する低分子系有機半導体膜を形成する工程を含む有機薄膜トランジスタの製造方法である。ゲート電極5を構成する基板上にゲート絶縁膜を構成する300〜500nm厚のシリコン酸化膜4及び4nm厚のポリマー薄膜3を介して有機半導体であるHMTTF膜が積層され、その両端にソース電極、ドレイン電極を構成する電極1が形成されて有機薄膜トランジスが構成されている。ポリマー薄膜3は、ポリスチレン薄膜である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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