出願番号 |
特願2007-233535 |
出願日 |
2007/9/10 |
出願人 |
国立大学法人福井大学 |
公開番号 |
特開2009-062247 |
公開日 |
2009/3/26 |
登録番号 |
特許第5137066号 |
特許権者 |
国立大学法人福井大学 |
発明の名称 |
グラフェンシートの製造方法 |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
エレクトロニクス、燃料電池等の分野の材料として有用なグラフェンシートの製造に適用する。 |
目的 |
特定のグラフェンシート形成面に特定の処理を施すことによって形成するグラフェンシートの製造方法を提供する。 |
効果 |
特に、大面積のグラフェンシートを簡単に製造できる。 |
技術概要
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耐熱性の作業基板1(例えばセラミックス)を準備する工程と、グラフェンシートを構成する炭素の結晶構造と同様の結晶構造の炭素を含有するグラフェンシート形成面5(例えば六方晶系結晶構造を有するSiCで形成される)を、形成しようとするグラフェンシートの面積に応じた寸法で作業基板1上の所定位置に位置決めする工程と、作業基板1を加熱(例えばSiCの場合、水素ガス中、1350℃以上)して、グラフェンシート形成面5に、0°を越え13°以下のオフ角を設けることで、形成されたグラフェンシートの丸まりを阻止するカーボンナノチューブ化阻止処理を施す工程と、密閉容器3内において、グラフェンシート形成面5を、真空中又は窒素等のガス雰囲気中で加熱(例えばSiCの場合、1300℃以上)し、グラフェンシート形成面5を構成する炭素以外の成分を除去してグラフェンシート形成面5に一層以上のグラフェンシート6を形成する工程と、形成されたグラフェンシート6を、表面を活性化させた転写用基板7等を使って、グラフェンシート形成面5から取り出す工程を経るグラフェンシートの製造方法にする(図)。 |
実施実績 |
【試作】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【可】
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特許権実施許諾 |
【可】
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