グラフェンシートの製造方法

開放特許情報番号
L2009004324
開放特許情報登録日
2009/7/10
最新更新日
2014/4/28

基本情報

出願番号 特願2007-261188
出願日 2007/10/4
出願人 国立大学法人福井大学
公開番号 特開2009-091174
公開日 2009/4/30
登録番号 特許第5470610号
特許権者 国立大学法人福井大学
発明の名称 グラフェンシートの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ディスプレイ、燃料電池等の材料として有用なグラフェンシートの製造に適用する。
目的 触媒金属層を形成した基板上に炭素含有ガスを供給してグラフェンシートを形成するグラフェンシートの製造方法を提供する。
効果 幅や長さ、膜厚の調整が容易で、かつ、大面積のグラフェンシートを簡単に製造できる。
技術概要
例えば、(A)表面を予め活性化処理した基板1を準備し、(B)この基板1の表面に、製造しようとするグラフェンシートの幅に応じた寸法の間隔Sを有する複数本の触媒金属層2を、必要なら触媒金属層2、2の中間位置に溝1aを設けて、公知のリソグラフィ、スパッタリング、CVD等の方法により形成し、(C)触媒金属層2を形成した基板1を、密閉容器3内に収容して、ヒーター等加熱手段4により、真空中、1000℃以上に加熱し、(D)炭素含有ガスを密閉容器3内に供給して、加熱した基板1上の触媒金属層2、2間の全幅及び全長にわたって、触媒金属層2の高さに応じた膜厚のグラフェンシート6を形成せしめ、(E)グラフェンを成長せしめた基板1を容器3から取り出し、転写用基板7等を使って、グラフェンシート6を基板1から取り出すグラフェンシートの製造方法にする(図)。基板1は、耐熱性を有しグラフェンとの密着性の高い、例えば、SiO↓2、SiON等若しくはそれらを表面にコーティングして用いられ、また、触媒金属層2は、例えば、W、Ni、Ag等が用いられ、また、炭素含有ガスは、例えば、メタン、エチレン、アルコール等が用いられる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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