金属錯体化合物、電子素子、デバイス、電子素子の駆動方法

開放特許情報番号
L2009004299
開放特許情報登録日
2009/7/3
最新更新日
2009/7/3

基本情報

出願番号 特願2006-243461
出願日 2006/9/7
出願人 学校法人 中央大学
公開番号 特開2008-066542
公開日 2008/3/21
発明の名称 金属錯体化合物、電子素子、デバイス、電子素子の駆動方法
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 金属錯体化合物、電子素子、デバイス
目的 高密度化が可能で、実用性の高い金属錯体化合物、電子素子、およびこれを具備するデバイスを提供する。また、この電子素子を駆動させるのに最適な電子素子の駆動方法を提供する。
効果 高密度化が可能で、実用性の高い金属錯体化合物、電子素子、およびこれを具備するデバイスを提供することができる。また、この電子素子を駆動させるのに最適な電子素子の駆動方法を提供することができる。
技術概要
金属錯体化合物は、固体表面に多点吸着することで直立した状態を保って単分子層を形成し、単分子層が他の金属イオンと錯形成することで積層化が可能で、かつ、レドックス応答性と光電子移動性とを有する。電子素子は、分子材料としての金属錯体化合物が固体基板上に直立した分子配向をとる単分子層を形成しており、その単分子層がレドックス応答性と光電子移動性とを有する。電子素子としては、図1(A)および図1(B)に示すような構成が挙げられる。図1(A)に示す構成は、金属M↓1に配位する配位子X↓1と、金属M↓1に配位しアンカー基を有する配位子Y↓1とにより単核金属錯体が構成され、配位子Y↓1のアンカー基を介して基板10上に固定化された構成となっている。また、図1(B)に示す構成は、図1(A)に示す構成で、かつ、金属M↓1に配位する配位子X↓1が金属M↓2にも配位し、さらに、金属M↓2に配位子X↓2が配位した複核金属錯体が構成され、配位子Y↓1のアンカー基を介して基板10上に固定化された構成となっている。図2はデバイスを示す説明図であり、(A)は、各基板を組み合わせる前の状態であり、(B)は各基板を組み合わせた状態である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 中央大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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