ブロック共重合体からなるナノディスク

開放特許情報番号
L2009004235
開放特許情報登録日
2009/6/26
最新更新日
2013/5/22

基本情報

出願番号 特願2007-556924
出願日 2007/2/2
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 WO2007/088957
公開日 2007/8/9
登録番号 特許第5216995号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 ブロック共重合体からなるナノディスク
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 ブロック共重合体からなるナノディスク
目的 写真乳剤などの用途に限定されることなく、幅広い材料からなり、かつ応用性の高いナノディスクと、その製造方法を提供する。
効果 ナノディスクの厚みは100nm以下であり、可視領域の光に対して透過性を有する。また、架橋構造部分に金属元素を持たせることによって、磁性や導電性を有するナノディスク、あるいは触媒作用や高屈折率を有するナノディスクとして利用することが可能である。従って、この高分子微粒子は、微粒子粉体工学、コロイド界面科学、電子材料、光学材料等の広範な分野に応用される。
技術概要
2分子のブロック共重合体が主鎖方向に直列してなる基本単位が平面方向に集合して形成されている、厚み1nm〜100nm、直径10nm〜5μmならびにアスペクト比が1以上であるナノディスク。また、式(図1)で表される構造を有するナノディスクである。式中、( )は2分子のブロック共重合体S1−S2が主鎖方向に直列してなる基本単位を表し、S1は1種のブロック又は2種以上のブロックの集合を表し、S2はS1とは異なるブロックを表し、…はブロック間のファンデルワールス結合を表し、−は共有結合を表し、…は繰り返しを表し、*にはファンデルワールス結合が存在していてもよく、S1とS2の溶解度パラメータ差が2以上であり、かつS2/(S1十S2)は0.3〜0.8である。また、S1がメチルメタクリレート、メタクリル酸、アクリル酸、等及びこれらの重合性誘導体よりなる群から選ばれるモノマー単位から構成されるブロックであり、かつS2がスチレン、イソプレン、ブタジエン、ビスフェノールA、等及びこれらの重合性誘導体よりなる群から選ばれるモノマー単位から構成されるブロックである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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