複素誘電率測定装置および複素誘電率測定方法

開放特許情報番号
L2009004150
開放特許情報登録日
2009/6/19
最新更新日
2011/4/15

基本情報

出願番号 特願2006-086702
出願日 2006/3/27
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 特開2007-263625
公開日 2007/10/11
発明の名称 複素誘電率測定装置および複素誘電率測定方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 複素誘電率測定装置
目的 複雑な測定器具を必要とすることなく、小型かつ構造が単純な測定フィクスチャを用いて、薄い材料の複素誘電率をマイクロ波領域において高精度に測定することができる複素誘電率測定装置および複素誘電率測定方法を提供する。
効果 複雑な測定器具を必要とすることなく、小型かつ構造が単純な測定フィクスチャを用いて、薄い材料の複素誘電率をマイクロ波領域において高精度に測定することができる。
技術概要
図1は、複素誘電率測定装置のシステム構成を示す概略図である。この複素誘電率測定装置100では、フィクスチャ110は、複素誘電率を測定する試料1を保持する。フィクスチャ110は、上部のセクション111と、下部のセクション113とで構成される。試料1は、フィクスチャ110の下部セクション113にインストールされる。ネットワークアナライザ130は、フィクスチャ110内に電磁波(入射波)を入力し、この電磁波の入力に応答してフィクスチャ110から出力された電磁波(反射波)を受信する。そして、入射波と反射波を解析して、複素誘電率の算出に必要な複素反射係数S↓1↓1↑mを算出し、算出結果を演算処理装置140に出力する。演算処理装置140は、ネットワークアナライザ130から出力された複素反射係数S11mに基づいて、所定の演算式を用いて、試料1の複素誘電率を算出する。演算処理装置140は、例えば、パソコンで構成される。図2は図1のフィクスチャの構造の一例を示す概略図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 多くの異なる材料(フィルムのみならず粉末や液体)に対して適用可能な実験的方法を提供することができる。しかも、実装状態のフィルムにも適用可能である。また、例えば、試料部分における波動伝播を適正に考慮することにより、測定周波数領域を20GHzまで拡張し、tanδの分解能を0.001まで上げることができる。加えて、そのような測定を全周波数領域にわたって293〜353Kの温度で行うことができる。基礎研究と実用化の両方においてさまざま領域に適用することができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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