金属酸化物薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2009003951
開放特許情報登録日
2009/6/5
最新更新日
2009/6/5

基本情報

出願番号 特願2008-283962
出願日 2008/11/5
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-074178
公開日 2009/4/9
発明の名称 金属酸化物薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 簡便な操作で得られ、基本的に加熱処理を伴うことなく基材に結晶性金属酸化物薄膜を形成する分野等で広く利用される。
目的 積極的な加熱処理を伴うことなく、低温で、基材に緻密で均質な結晶質の金属酸化物膜を効果的に形成する技術を提供する。
効果 比較的耐熱性の低い基材に対しても、基材の特性を損なうことなく、望ましい特性の金属酸化物薄膜を形成することができる。
技術概要
非晶質を含む金属酸化物膜を、温度180℃以下にて、高周波電界中で少なくともアルゴンガスあるいは窒素ガスあるいはそれらを含むガスを励起することにより発生する低温高周波プラズマに曝露することにより、結晶性の金属酸化物薄膜を製造する。尚、結晶性の金属酸化物薄膜の、理論密度と比較した相対密度が90%以上であり、また、低温高周波プラズマの発生条件が、印加周波数1kHz〜300MHz、圧力5Pa以上、投入電力が300W以上である。また、非晶質を含む金属酸化物膜を、スパッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法のいずれかにより形成し、前躯体溶液の塗布により形成した非晶質を含む金属酸化物薄膜に、プラズマに曝露される前にあらかじめ、水蒸気存在下で紫外線を照射する。更に、非晶質を含む金属酸化物膜がチタン酸ジルコン酸鉛を含む膜である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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