半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2009003949
開放特許情報登録日
2009/6/5
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2008-291821
出願日 2008/11/14
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-071322
公開日 2009/4/2
登録番号 特許第4803845号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体強誘電体記憶デバイス
目的 実用化が可能で、ある程度の期間データを保持することのできる半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法を提供する。
効果 データの書き込みと読み出しを1個のトランジスタサイズにより実現することができ、しかも書き込んだデータは、実用上十分な長時間消失することがない。そして、読み出し後も、データの内容は、破壊されない。このデバイスは、広範囲の用途の半導体メモリ、さらには半導体論理回路中の安定な一時記憶デバイス等、多様な回路の中で用いることができる。
技術概要
ソース領域とドレイン領域を有する半導体基板または半導体領域上に、ハフニウム・アルミニウム酸化物を主成分とする絶縁体バッファ層、強誘電体膜およびゲート電極がこの順に積層されているトランジスタを有する半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法である。半導体表面処理、絶縁体バッファ層形成、強誘電体膜形成、ゲート電極形成および熱処理工程を含み、絶縁体バッファ層形成を、窒素と酸素のモル比が1:1〜1:10↑−↑7の混合ガスの雰囲気中にて行う半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法である。薄膜形成のための真空容器に基板を置き、容器から基板を出すことなく連続して気相成長法又はパルスレーザ堆積法により絶縁体バッファ層および強誘電体膜を形成する。データを記憶する源は、強誘電体膜3の電気分極であり、これを発現するために、薄膜形成時又はその後の熱処理工程で温度を上げて強誘電体膜3を結晶の状態にする。この結温度は、通常650〜950℃である。温度が高い方が結晶性がよく、強誘電性もよい。シリコン中のソース領域とドレイン領域を形成するためには、不純物の活性化のため低くても1050℃程度の短時間の熱処理が必要である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT