マイクロプラズマによる堆積方法及び装置

開放特許情報番号
L2009003943
開放特許情報登録日
2009/6/5
最新更新日
2015/9/28

基本情報

出願番号 特願2008-208924
出願日 2008/8/14
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-046766
公開日 2009/3/5
登録番号 特許第4565244号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 マイクロプラズマによる堆積方法及び装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 基板微細加工技術として有用なマイクロプラズマによる堆積装置に適用する。
目的 特定内径のキャピラリーを用いて基板上に微小ドット等を形成するマイクロプラズマによる堆積装置を提供する。
効果 基板にダメージを与えることなく、比較的簡単な工程で、直接微小なドット等を形成できるマイクロプラズマによる堆積装置が可能になる。
技術概要
例えば、100μm以下の内径のキャピラリー1を持つ石英管、石英管の中に配置した堆積させるための材料(金属ワイヤー4)、石英管の中に導入したプラズマガス(ガス供給口5)、石英管の外周に配置した誘導コイル(銅製コイル3)を備え、この誘導コイルに高周波を印加してマイクロプラズマを発生させて、材料を溶融、蒸発又は気化させ、100μm以下の内径を有する石英管のキャピラリー1先端から基板に向かって噴射させることにより基板上の微小な領域にドット又はラインを形成するマイクロプラズマによる堆積装置にする(図)。基板としては、融点が500℃以下、好ましくは300℃以下の低融点基板が用いられ、また、堆積させる材料としては金属、金属を主成分とする材料、またはその他のマイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化する材料が用いられる。かくして、低融点基板上にドット状に堆積した直径1〜100μm、好ましくは5〜50μmのドット、または、幅1〜100μm、好ましくは5〜50μmのラインが形成できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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