磁性材料及びそれを用いた磁気抵抗素子

開放特許情報番号
L2009003898
開放特許情報登録日
2009/5/29
最新更新日
2009/5/29

基本情報

出願番号 特願2007-232843
出願日 2007/9/7
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所、国立大学法人東北大学
公開番号 特開2009-065040
公開日 2009/3/26
発明の名称 磁性材料及びそれを用いた磁気抵抗素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気メモリ、磁気センサー、低磁化・低ダンピング係数磁性材料
目的 MgO−TMR素子において、磁化自由層あるいは磁化固定層に用いる磁性材料として、高い磁気抵抗比を保ったまま、低い磁化および低いダンピング定数を持つ磁性材料の提供。
効果 本技術によれば、従来の磁性材料であるCo−Fe−B合金に比べ、ダンピング定数αおよび磁化M↓sを同時に減少させることが出来、α・M↓s↑2の値においては最小1/10以下まで減少させることが可能である。
技術概要
 
この技術では、Co−Fe−B合金に、もともとbcc(001)構造を持つ元素であるCrあるいはVを適切な量、添加して合金化すると、結晶構造を大きく変化させることなく、磁化とダンピング定数の両者を同時に低減することが可能であることを見いだした。即ち、Co−Fe−B合金に元素X(XはCrまたはV)を添加した(Co−Fe)↓aX↓bB↓c(CoとFeの組成比は任意で、a=45〜80%,b=5〜25%,c=15〜30%の範囲で任意である)の組成を持つ磁性材料である。具体的には、超高真空スパッタ法により熱酸化膜付きシリコン基板上にTa/Co−Fe−B−X/Taを順次堆積させ、Ta 10nm/Co−Fe−B−X 10nm/Ta 5nm薄膜を作製した。ここでは、XとしてCrおよびVを選び、それらの濃度を0から20%まで変化させ、薄膜作製後、真空中で熱処理を行った。熱処理温度はCrの場合400℃、Vの場合は350℃とした。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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