超小型イオン源装置および集積型超小型イオン源装置

開放特許情報番号
L2009003836
開放特許情報登録日
2009/5/29
最新更新日
2009/5/29

基本情報

出願番号 特願2007-240059
出願日 2007/9/14
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2009-070749
公開日 2009/4/2
発明の名称 超小型イオン源装置および集積型超小型イオン源装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 MEMSマイクロマシニング
目的 超小型のイオン源を用いることによりイオン源を駆動するための不要な電力を削減し、異なるプロセスを同一の真空装置で同時に行うことを可能とし、多品種・少量のMEMS製品の製造を簡便・安価に行える経済性に優れた超小型イオン源装置および集積型超小型イオン源装置の提供。
効果 本技術によれば、シリコン基板を用いたマイクロマシニングにより多数のイオン源を同時に多数作製することができるので、格段に経済性に優れた超小型イオン源装置および集積型超小型イオン源装置が得られる。
技術概要
この技術の超小型イオン源装置は、低気圧にてプラズマ放電を発生する一組のアノード電極およびカソード電極からなるプラズマ発生用電極を有する、イオン加工用の超小型イオン源であって、どちらかまたは両方にイオン引き出し用のメッシュ状の孔をシリコン基板上に有している、対向する二つのカソード電極と、各カソード電極の中間部に配置され、中心部に開口があるシリコン基板を有するアノード電極と、各カソード電極とアノード電極間を絶縁する絶縁基板とを、有する。各カソード電極は、シリコン基板にイオン引き出し用のメッシュ状の穴をシリコンエッチングにより形成し、しかる後に導電性金属薄膜をその表面に形成して形成され、アノード電極は、各カソード電極の中間部にシリコン基板のエッチングにより孔を形成し、その周辺に導電性薄膜を形成することにより形成されていることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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