炭化ケイ素構造体の製造方法

開放特許情報番号
L2009003830
開放特許情報登録日
2009/5/29
最新更新日
2012/11/23

基本情報

出願番号 特願2007-228893
出願日 2007/9/4
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2009-062203
公開日 2009/3/26
登録番号 特許第5083814号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 炭化ケイ素構造体の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 高温ガスや金属融液のフィルター、高温ガス吸着材、触媒担体、生体培養坦体材料
目的 従来法の原料粉末の混合工程を省き、従来法では実現できなかった主として炭素からなる構造体の形態を保持した炭化ケイ素構造体の製造を、低温で、かつ短時間で行うことことができる炭化ケイ素構造体の製造方法の提供。
効果 本技術によれば、従来よりも簡易に、低温で、かつ短時間で炭化ケイ素構造体を製造することができる炭化ケイ素構造体の製造方法が得られる。これにより、炭化ケイ素構造体を用いた低価格、高性能な高温構造部材や半導体製造用部材、発熱体、廃ガス浄化用フィルター、高温ガスフィルター、溶融金属濾過材、ガス分解浄化反応触媒の坦体、生体培養坦体材料等が得られる。
技術概要
この技術では、木材(バルサと檜材各10×10×30mm,バルサφ10mm×40mm)を80℃の空気中で4時間乾燥後、550℃の減圧下(約100Torr)で6時間加熱し、木材を炭化し、植物細胞壁の高次構造を保持した主に炭素からなる構造体とした。次に、得られた植物細胞壁の高次構造を保持した主に炭素からなる構造体である2つの炭化木(合計296.2mg)を、シリコン(814.6mg、純度99.999%、粒径−200mesh)、およびナトリウム(790.7mg、純度99.95%)とともに、アルゴンガス雰囲気のグローブボックス中で、焼結窒化ホウ素坩堝の中に入れた。さらに、これらをニッケル製ルツボに入れた。次に、熱電対を通したニッケル台の上にニッケル製ルツボを置き、ニッケル製キャップで覆った。試料部の雰囲気をArガスで約3atmに加圧し、ヒーターにより2時間で700℃まで昇温し、24時間保持加熱した後、炉冷した。炉冷後、グローブボックス中で焼結窒化ホウ素坩堝内に入った試料を取り出した。加熱する温度は、600℃以上、1200℃以下、好ましくは900℃以下の必要がある。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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