分子デバイス及びその製造方法

開放特許情報番号
L2009003688
開放特許情報登録日
2009/5/22
最新更新日
2011/5/13

基本情報

出願番号 特願2006-532724
出願日 2005/8/30
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 WO2006/025391
公開日 2006/3/9
登録番号 特許第4714881号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 分子デバイス及びその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 半導体装置
目的 この発明は、基板上に配置されるナノ構造体との相互作用を低減し、基板上でのナノ構造体の配向を容易に制御し得る分子デバイス及びその製造方法を提供する。
効果 この発明の方法によれば、現在、使用されているシリコン半導体に代わる次世代半導体素子、次世代LSI,又は次世代光学素子等の用途に使用することが出来る。
技術概要
半導体デバイスの高密度化、高機能化が進んでおり、電極間の配線にナノチューブを用いる研究が行われている。しかし、ナノチューブを基板表面上に配置した場合、比較的強い相互作用が生ずるため、基板上から引き離すことが困難になり、基板上でのナノチューブのマニュピュレーションが困難になるという難点があった。この発明の分子デバイスは、基板上に単分子膜が形成されて、この上にナノチューブが配置されている。基板は、シリコン(Si)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Al)等の導電性材料の上にSiO↓2、TiO↓2、ZrO↓2、Al↓2O↓3等の酸化物層が形成されたものである。この酸化物層の上に形成される単分子膜は、酸化物層のヒドロキシル基と化学的に結合し得る化合物の有機シラン化合物の薄膜が形成される。この上に円筒状のナノ構造体を有するカーボンチューブ等がCVD法等によって形成される。この様に形成された基板は、リソグラフィー加工によって微細配線を行うことが出来る様になる。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
Copyright © 2017 INPIT