絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ

開放特許情報番号
L2009003623
開放特許情報登録日
2009/5/22
最新更新日
2009/6/26

基本情報

出願番号 特願平10-029498
出願日 1998/2/12
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開平11-233764
公開日 1999/8/27
登録番号 特許第4048586号
特許権者 株式会社日立製作所
発明の名称 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 その他
適用製品 絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタ
目的 本発明の目的は、破壊耐量の大きいIGBTを提供することにある。
効果 本発明によれば、単位面積当たりの絶縁膜の容量とゲート抵抗をかけたCR時定数をゲートパットから遠いセルを近いセルよりも小さくすること、同じセルではゲートパットから近い方を遠い方より大きくすることで電流のアンバランスを解消し、破壊耐量の大きなIGBTを得ることができる。
技術概要
 
本発明は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、単位面積当たりの絶縁膜の容量とゲート抵抗をかけたCR時定数をゲートパッドから遠いセルを近いセルと同等又はそれよりも小さい、同じセルではゲートパッドから近い方が遠い方より大きい絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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