半導体素子及びこれを用いた半導体装置と変換器

開放特許情報番号
L2009003590
開放特許情報登録日
2009/5/22
最新更新日
2009/5/22

基本情報

出願番号 特願2000-274991
出願日 2000/9/6
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2002-083964
公開日 2002/3/22
登録番号 特許第4032622号
特許権者 株式会社日立製作所
発明の名称 半導体素子及びこれを用いた半導体装置と変換器
技術分野 電気・電子
機能 その他
適用製品 半導体素子 半導体装置 変換器
目的 本発明の目的は、半導体装置の大容量化を図る場合に、複数半導体素子の並列接続時におけるスイッチング動作を安定化し、かつ、半導体素子内部での不均一動作を抑えることにある。
効果 本発明によれば、均一動作性が向上した半導体素子を得ることができる。
技術概要
 
本発明は、半導体素子内部に外付けチップ抵抗と同等の効果を有するゲート抵抗としてゲート制御配線膜22に接続する制御配線電極膜32と制御電極33との間にポリシリコンやセラミック材料からなる高電気抵抗領域40を内蔵する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT