半導体装置

開放特許情報番号
L2009003579
開放特許情報登録日
2009/5/22
最新更新日
2009/5/22

基本情報

出願番号 特願2003-421958
出願日 2003/12/19
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2005-183650
公開日 2005/7/7
登録番号 特許第4026590号
特許権者 株式会社日立製作所
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 その他
適用製品 半導体装置
目的 本発明の目的は、環境負荷が小さく低コストで、耐熱性等に優れる半導体装置用接合材料材及びこれを用いた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
効果 本発明によれば、Znを主成分とする接合材料を用いることで、環境負荷が小さくまた250℃以上の耐熱性がある高耐圧用半導体装置を得ることができる。
技術概要
 
本発明は、半導体素子と銅部材とが接合された構成を有する半導体装置において、半導体素子と銅部材とを、融点が250℃以上で亜鉛(Zn)を主成分とする第1の接合部材で接合し、この接合部材は半導体素子との界面に近い領域において、ニッケル(Ni)が傾斜拡散している構成とした。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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