水素ガスセンサ

開放特許情報番号
L2009003513
開放特許情報登録日
2009/5/22
最新更新日
2010/6/4

基本情報

出願番号 特願2003-115144
出願日 2003/4/21
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2004-317449
公開日 2004/11/11
登録番号 特許第3985720号
特許権者 日立オートモティブシステムズ株式会社
発明の名称 水素ガスセンサ
技術分野 その他
機能 その他
適用製品 水素ガスセンサ
目的 本発明の目的は、水素ガス濃度の計測に対応した長期の性能信頼性が高く低コストの水素ガスセンサを提供することにある。
効果 本発明によれば、長期の性能信頼性が高く低コストの水素ガスセンサを実現できる。
技術概要
 
本発明は、空洞部上に絶縁膜を介して少なくとも一対の不純物ドープ処理された多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜を形成し、一方の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜は上層と下層において水素を透過しにくく且つ吸収しにくいバリア層で包含されており、他方の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜は上層と下層のいずれかにて上記バリア層から開放されており、上記一対の多結晶ケイ素(Si)半導体薄膜の抵抗値の差から水素ガスの濃度を計測するように構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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