半導体電力変換装置

開放特許情報番号
L2009003418
開放特許情報登録日
2009/5/22
最新更新日
2009/5/22

基本情報

出願番号 特願2001-259121
出願日 2001/8/29
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2003-069401
公開日 2003/3/7
登録番号 特許第3932841号
特許権者 株式会社日立製作所
発明の名称 半導体電力変換装置
技術分野 電気・電子
機能 その他
適用製品 半導体電力変換装置
目的 本発明の目的は、電力変換器を構成する直列接続されたIGBTに過電流が通流した際に、IGBT間に電圧アンバランスが生じ、過電圧によりIGBTが破壊することを防止することにある。
効果 本発明によれば、MOS制御半導体素子の過電圧保護の為に、該高耐圧と同等のアバランシェ電圧を有する半導体素子を用いることなく、MOS制御半導体に過電流が通流している時に、MOS制御半導体直列接続のうち最も飽和電流の小さな素子に過電圧が印加されることを防止できる。
技術概要
 
本発明は、IGBTを直列に接続した電力変換器において、IGBTのコレクタ電圧が高くなるとゲート電圧を高くする手段を有し、かつ、コレクタ電圧が高くなった場合には、IGBTの定常オン状態におけるゲート電圧よりゲート電圧を高くできる手段を有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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