半導体電力変換装置

開放特許情報番号
L2009003365
開放特許情報登録日
2009/5/22
最新更新日
2009/5/22

基本情報

出願番号 特願2000-367965
出願日 2000/12/4
出願人 株式会社日立製作所
公開番号 特開2002-171746
公開日 2002/6/14
登録番号 特許第3899450号
特許権者 株式会社日立製作所
発明の名称 半導体電力変換装置
技術分野 電気・電子
機能 その他
適用製品 半導体電力変換装置
目的 本発明の目的は、IGBTのクランプ電圧を一定に保持し、IGBTの損失を軽減することにある。
効果 本発明によれば、IGBTのコレクタ電圧のdv/dtに関係なく、コレクタ電圧のクランプレベルを一定に保つことができるので、従来のように必要以上にIGBTのコレクタ電圧を低下させてしまうことがなく、IGBTの損失を軽減することができる。また、電力変換装置のアーム構成がIGBTの多直列接続である場合、コレクタ電圧のdv/dtが大きくても、コレクタ電圧のクランプレベルが一定であるので、直列接続したIGBT間の電圧分担を均等化することができ、素子の破壊を防止することができる。
技術概要
 
本発明は、IGBT1のコレクタとエミッタに対して一定の電位差を有する配線13N間の電圧を高圧側抵抗器3と低圧側抵抗器4により分圧する回路構成を有し、分圧点9の電位にIGBTのゲート電位をバッファ回路6を介してコントロールすることによってコレクタへの過電圧印加からIGBTを保護する機能を有する半導体電力変換装置において、低圧側の抵抗器に並列にコンデンサ5を接続し、高圧側抵抗器3の抵抗値をRh、その寄生容量値をCh、低圧側の抵抗器4の抵抗値をRl、コンデンサ5の容量をClとするとき、関係式(1)が成立するようにコンデンサ5の容量Clを設定する。これにより、コレクタ電圧の電圧変動率(dv/dt)に関係なく、クランプ電圧レベルを一定に保持する。Cl=Ch×Rh/Rl(1)
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 特許通常実施権の許諾(非独占)

登録者情報

登録者名称 株式会社日立製作所

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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