| 出願番号 |
特願2006-242008 |
| 出願日 |
2006/9/6 |
| 出願人 |
国立大学法人京都大学 |
| 公開番号 |
特開2007-273939 |
| 公開日 |
2007/10/18 |
| 登録番号 |
特許第5298308号 |
| 特許権者 |
国立大学法人京都大学 |
| 発明の名称 |
有機薄膜光電変換素子及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、有機材料、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
簡便な操作で得られ、有機薄膜太陽電池、半導体光電変換素子等の分野で広く利用される。 |
| 目的 |
有機薄膜光電変換素子の特長を活かしつつ、高い光電変換効率を得ることができる有機薄膜光電変換素子及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
製造工程において活性層とのなじみが良く、高い製造効率で、高い光電変換効率を有すると共に、耐久性が良好である有機薄膜光電変換素子を製造することができるようになる。 |
技術概要
 |
大気下において、電極を有する基板上にバッファー層及び光電変換層を形成した後、湿式法によりＴｉＯ↓２ホールブロック層を設け、その上に対向電極を設けることにより、有機薄膜光電変換素子を製造する。尚、ＴｉＯ↓２ホールブロック層が、Ｔｉアルコキシド溶液を塗布し、常温乾燥することにより形成され、また、ＴｉＯ↓２アルコキシドを０．０２〜０．０５ｍｏｌ／ｌの割合でエタノールに溶解させたＴｉＯ↓２アルコキシド溶液を用い、ＴｉＯ↓２ホールブロック層を形成させる。更に、ｎ型有機半導体成分に対して溶解性を有し、光電変換層形成時に使用する良溶媒よりも高沸点であるが室温において留去可能な貧溶媒を、光電変換層形成後、その表面に付着させ、貧溶媒を留去することにより、光電変換層にｎ型有機半導体成分とｐ型有機半導体成分の厚さ方向の濃度傾斜を設ける。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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